SM-MIO

Серпень 17th 2000 06:15 AM

Мітки: , , , , , ,
  • ТХА(K) – від мінус 200 до плюс 1000єС;
  • ТХК(L) – від мінус 200 до плюс 600єС;
  • ТХК(E) – від мінус 200 до плюс 700єС;
  • ТМК(T) – від мінус 200 до плюс 400єС;
  • ТЖК(J) – від мінус 200 до плюс 700єС;
  • ТПП(R) – від 0 до плюс 1300єС;
  • ТПП(S) – від 0 до плюс 1300єС;
  • ТПР(B) – від плюс 300 до плюс 1600єС.
  • Погрішність при використанні для КХС вбудованого ТС100П, в нормальних умовах 25 10°C (час перетворення 100 мс Y Тп Y 200мс Тп), з урахуванням погрішності каналу КХС:
    • ТХА(K) – 4єС;
    • ТХК(L) – 2.9єС;
    • ТХК(E) – 3єС;
    • ТМК(T) – 3.8єС;
    • ТЖК(J) – 3.4єС;
    • ТПП(R) – 10єС;
    • ТПП(S) – 11.3єС;
    • ТПР(B) – 13.5єС.


    Канали дискретного введення на базі кросу FM-8DI і модуля SM-MIO.

    Кроссировочноє пристрій FM-8DI призначений для побудови гальванічно ізольованих один від одного каналів дискретного введення або каналів рахунку імпульсів.

    Технічні характеристики

    • Максимальне число каналів дискретного введення (DI) 8х3 =24.
    • Рівень лог.0 не більш 5В.
    • Рівень балка. 1 не менше 10В.
    • Вхідний струм при вхідній напрузі 24В 10 12 ма.
    • Максимально допустима вхідна напруга не більш 36В постійного струму.
    • Електрична міцність ізоляції по постійному струму між каналами DO, між каналами DO і інтерфейсом зв’язку з модулем SM-MIO, 1000 В.

    Канали дискретного висновку на базі кросу FM-8DO і модуля SM-MIO.

    Кроссировочноє пристрій FM-8DO призначений для побудови гальванічно ізольованих один від одного каналів дискретного висновку. У КУ є апаратні засоби для установки вихідного ключа кожного каналу в необхідне положення (відкритий або закритий) по включенню живлення КУ (контроллера), а також при його відсутності.

    Технічні характеристики

    • Максимальне число каналів дискретного висновку (DO) 8х3=24.
    • Напруга живлення вихідного ключа каналу (зовнішнє) від 19 до 36В постійного струму.
    • Вихідний струм каналу – не більше 1 А.
    • Захист вихідного ключа від КЗ в навантаженні є.
    • Електрична міцність ізоляції по постійному струму між каналами DI, між каналами DI і інтерфейсом зв’язку з модулем SM-MIO 1000 В.
    1. SM-DIN2
    2. SM-ADC12M
    3. VM 2103M
    4. VM 2104M
    5. VM-2903M

    Сторінки: 1 2 3

    Posted under По продуктовому напряму |